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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	安装类型	包装/外壳	表面安装	供应商器件包装	材料	终端数量	晶体管元件材料																				Maximum Drain Source Resistance (MOhm)											厂商																																														操作温度
IXFP56N30X3	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TO-220-3	27@10V	通孔	56 nC	27 mOhms	56 A							Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	300	±20	56	56@10V	56	3750@25V	320000	10	26	64	21	-55	150	通孔	9.15(Max)	4.83(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-220AB	300 V		2.5 V	320 W	N-Channel	+ 150 C	- 20 V, + 20 V	- 55 C			HiPerFET		活跃					Si			3			Single	1 Channel															N
GRP-DATA-JANSR2N7475T1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	15.5@12V	Enhancement	1	130	±20	45	160(Max)@12V	5510@25V	208000	50(Max)	125(Max)	80(Max)	35(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA		通孔								不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	R5					活跃										3			Single																	N
IXFN120N65X2	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	SOT-227-4	24@10V	24 mOhms	86 ns							符合免除	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	650	±30	108	240@10V	240	14000@25V	890000	12	26	82	39	-55	150	Screw	9.6(Max)	25.42(Max)	38.23(Max)	4	SOT	SOT-227B	Screw		108A	64 ns	890 W	+ 150 C	- 30 V, + 30 V	- 55 C	螺钉安装			650V Ultra Junction X2		活跃		HiperFET		Discrete Semiconductor Modules	Si			4			单双源			890W								23 ns				Discrete Semiconductor Modules	N				功率MOSFET模块
IXFA56N30X3	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TO-263-3	27@10V	N-Channel	+ 150 C	- 20 V, + 20 V	- 55 C	SMD/SMT	56 nC	27 mOhms	56 A							Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	300	±20	56	56@10V	56	3750@25V	320000	10	26	64	21	-55	150	表面贴装	4.83(Max)	9.4(Max)	10.41(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK		Gull-wing	300 V	2.5 V	320 W					活跃				Si				3			Single	1 Channel															N
GRP-DATA-IRHG6110SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1200@12V@P Channel\|700@12V@N Channel	19(Max)@P Channel\|16(Max)@N Channel	66(Max)@P Channel\|65(Max)@N Channel	22(Max)@P Channel\|20(Max)@N Channel	-55	150	通孔	3.3(Max)	7.74(Max)	19.3(Max)	14	MO-036AB	MO-036AB									不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	4	100	±20	0.75@P Channel\|1@N Channel	15(Max)@12V@P Channel\|11(Max)@12V@N Channel	335@25V@P Channel\|300@25V@N Channel	1400	51(Max)@P Channel\|45(Max)@N Channel					活跃										14			Quad																	P\|N
2N6804	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	360@10V	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	11	29(Max)@10V	29(Max)	860@25V	75000	140(Max)	140(Max)	140(Max)	60(Max)	-55	150	通孔	7.74(Max)	25.53(Max)	39.37(Max)	2	Tab	TO-204-AA		TO-3	通孔								不合规	EAR99	8541.29.00.95	无					活跃										3			Single																	P
IRFS31N20DHR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	82@10V	无	Enhancement	1	200	3100									EAR99	8541.29.00.95	无					Obsolete													Single																			N
IXTP1R6N50D2	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TO-220-3	2300@0V	通孔	23.7 nC	2.3 Ohms	1.6 A							Compliant	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	500	±20	1.6(Min)	23.7@5V	645@25V	100000	41	70	35	25	-55	150	通孔	9.15(Max)	4.83(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-220AB	-	1.6A	500 V		4.5 V	100 W	N-Channel	+ 150 C	- 20 V, + 20 V	- 55 C			IXTP1R6N50		活跃					Si			3			Single	1 Channel		100W													N
GRP-DATA-JANSF2N7468U2	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5.6@12V	250000	50(Max)	125(Max)	60(Max)	35(Max)	-55	150	Military	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2									不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	75	165(Max)@12V	6080@25V					活跃										3			Single																	N
GRP-A-DATA-JANTX2N6849	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	320@10V	4.3	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔								不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	4	-55 to 150	6.5	100	25	34.8(Max)@10V	34.8(Max)	23.1(Max)	6.8(Max)	800@25V	125@25V	2	350	25000	140(Max)	140(Max)	140(Max)	60(Max)	-55		150	Military	20	25					活跃								3			Single																P			9.22(Max)
SI4431DY	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	32@10V	18@10V	18	930@15V	2500	13	11	33	12	-55	150	表面贴装	1.65(Max)	3.9	4.9	8	SOP	SOIC N	Gull-wing									Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±20	6.3		卷带			Obsolete										8			单四漏三源																	P
BSS131E6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14000@10V	SIPMOS	Enhancement	1	240	±20	0.11	2.1@10V	2.1	58@25V	360	64.5	3.1	13.7	3.3	-55	150	表面贴装	1(Max)	1.3	2.9	3	SOT	SOT-23		Gull-wing								Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	Unknown	小信号		卷带			Obsolete										3			Single																	N
BSP149E6327T	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1800@10V	200	±20	0.66	11@5V	326@25V	1800	21	3.4	45	5.1	-55	150	表面贴装	1.6	3.5	6.5	3	Tab	SOT	SOT-223	Gull-wing									EAR99	8541.29.00.75	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Depletion	1		卷带			Unconfirmed										4			单排双泄																	N
568-9495-1-ND	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	141@10V\|130@10V	141\|130	8061@50V	306000		34	46	83	31	-55	175									符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	功率MOSFET	Enhancement	1	100	20	4	100	100	10	5.6@10V		卷带			活跃													Single																	N
JANSR2N7467U2	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3.5@12V	75	200(Max)@12V	9110@25V	250000	50(Max)	125(Max)	80(Max)	35(Max)	-55	150	Military	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2									不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±20					活跃										3			Single																	N
SN7002WE6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5000@10V	Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	1.8	0.23	10	0.1	1@10V	1	34@25V	500	8.5	2.8	6	2.4	-55	150	表面贴装	0.9(Max)	1.25	2		3	SOT	SOT-323	Gull-wing									卷带			Obsolete										3		Single																		N
IRHMS597Z60	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14@12V	R5	Enhancement	1	30	±20	45	160(Max)@12V	7844@25V	208000	80(Max)	150(Max)	100(Max)	35(Max)	-55	150	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA		通孔								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET					活跃										3			Single																	P
IRHMK593160	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	50@12V	3	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	通孔	150	-55	35(Max)	70(Max)	140(Max)	45(Max)	208000	6110@25V	170(Max)@12V	10	100	45	4	±20	100	1	Enhancement	R5		功率MOSFET	无							不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	TO-254AA	Tab					Preliminary										3			Single																	P
AONS66916	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.	数据表	1485 In Stock	1: ¥9.535027 10: ¥8.995309 100: ¥8.486140 500: ¥8.005793 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	8-PowerSMD, Flat Leads	8-DFN (5x6)	3.6@10V	Alpha & Omega Semiconductor Inc.				No Lead	DFN EP	DFN	8	5.2	5.55	0.95(Max)	表面贴装	150	-55	18	30	7	10	6200	5325@50V	67	67@10V	30	±20	100	1	Enhancement	Trench Power AlphaSGT	功率MOSFET	无	无	有	有	8541.29.00.95	EAR99	符合免除	Tape & Reel (TR)	AONS669	100A (Tc)	6V, 10V	215W (Tc)	活跃		-55°C ~ 150°C (TJ)	卷带	AlphaSGT™		活跃					MOSFET (Metal Oxide)			8			单四漏三源					N-Channel		3.6mOhm @ 20A, 10V	3.6V @ 250µA	5325 pF @ 50 V	95 nC @ 10 V		100 V	±20V			N			-
JANS DATA-JANSR2N7520U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	85@12V	75000	50(Max)	65(Max)	75(Max)	25(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead									供应商未确认	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	21	45(Max)@12V	1540@25V					活跃										3			Single																	P
IRHLF730Z4SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	60	1.6	50000	通孔	4.54(Max)	3	TO-205AF									供应商未确认		出口接触方式	无	无					活跃										3																						N			9.22(Max)
JANSF2N7524U2	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16@12V	7022@25V	250000	35(Max)	150(Max)	100(Max)	35(Max)	-55	150	Military	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD-2									供应商未确认	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	56	200(Max)@12V					活跃										3			Single																	P
IRHNS57160	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	12@12V	Enhancement	1	100	±20	-55 to 150	75	160(Max)@12V	6440@25V	250000	50(Max)	125(Max)	75(Max)	35(Max)	-55	150							供应商未确认	无	无	功率MOSFET						活跃													Single																	N
IRF520A	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	9.2	200@10V	16@10V	16	370@25V	45000	28	14	36		14	-55	175	通孔	9.4(Max)	4.7(Max)	10.1(Max)	3	Tab	TO-220		TO-220	通孔								符合免除	EAR99	有		Rail			Obsolete										3			Single																	N
IRHNJ57230SESCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON				供应商未确认	200		12	750000	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD-0.5	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	无	IRHNJ57230SESCS	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1		活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.32	12 A					e0	活跃	EAR99		锡铅			BOTTOM	无铅	未说明	compliant	3	R-CBCC-N3	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING						N-CHANNEL		0.22 Ω	48 A	200 V	N	60 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR